January  9, 2015   |  V1.2

12

IR3537 

CHL8510

12V High Performance Gate Driver 

APPLICATION INFORMATION 

 

Figure 1 shows the typical applications circuit for the 

IR3537/CHL8510. 

BOOTSTRAP CIRCUIT 

Once the high‐side MOSFET selection is made, the 

bootstrap circuit can be defined. The integrated boot diode 

of the IR3537/CHL8510 reduces the external component 

count in cost and space sensitive designs. For ultra high 

efficiency designs, an external bootstrap diode is 

recommended.  

provides the voltage required to drive the external high‐

side MOSFET gate. The minimum capacitor value can be 

defined by: 

 

Where, 

 Q

high‐side external MOSFET(s) 

 ∆V

capacitor voltage (at the high‐side MOSFET gate) 

 

Where,   

 F

determined by actual circuit measurements. 

circuit measurements.

the surge current into the boot capacitor on start‐up.  

This resistor can also be used to set the rising slew rate of 

the high‐side MOSFET gate drive (HI_GATE) to help slow 

the rise time of the switch node for reduced ringing. 

SUPPLY DECOUPLING CAPACITOR 

Decoupling to the IR3537/CHL8510 is provided by a bypass 

low ESR, multilayer ceramic capacitor is recommended.  

A series resistor Rvcc, typically 10Ω, is added in series  

with the supply voltage to filter high frequency ringing  

and noise. 

PCB LAYOUT CONSIDERATIONS 

PCB layout and design is important to driver performance 

in voltage regulator circuits due to the high current slew 

rate (di/dt) during MOSFET switching. 

 Locate all power components in each phase as 

close to each other as practically possible in order 

to minimize parasitics and losses, allowing for 

reasonable airflow. 

 Input supply decoupling and bootstrap capacitors 

should be physically close to their respective IC 

pins. 

 High current paths like the gate driver traces 

should be as wide and short as practically possible. 

 Trace inductances to the high‐ and low‐side 

MOSFETs should be minimized. 

 The ground connection of the IC should be as close 

as possible to the low‐side MOSFET source. 

 Use of a copper plane under and around the IC and 

thermal vias connected to buried copper layers 

improves the thermal performance.