CS1256 datasheet(22/35 Pages) CHIPSEA

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户手

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册 V

0..2

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保密

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档

版

版权

权所

所有

有，

，侵

侵权

权必

必究

究

芯

芯海

海科

科技

技（

（深

深圳

圳）

）股

股份

份有

有限

限公

公司

司

第

第 2222 页

页，

，共

共 3355 页

页

当采用 MIX 整流(MIX)模式时，整流后的电压有效值 V

rms 为：





cos

)

(

)

(









AMP

rms

(式 3-10)

因此，对于只需要知道阻抗绝对值的场景，采用 FWR 模式得到 V

rms,f 值即可换算得到

|Z|；对于既需要知道阻抗绝对值又希望了解相角变化的场景，可以在采用 FWR 基础上，

再使用 MIX 模式得到 V

rms,m ，

rms

cos





(式 3-11)

因为人体阻抗网络是阻容网络，因此θ<0，所以

)

arccos(

rms







(式 3-12)

3.4.4

阻抗校准

由于非理想因素存在，BIM 在使用前需要校准信号增益和失调。通过 BIMD[1:0]可以

调整 BIM 模式，从测量模式切换到校准模式。

在校准电阻 0 模式下，在 SINO 和 VRES0 之间接电阻 Rsd0，经过 BIM 信号链和 ADC

信号链后，ADC 可以测得的电压有效值：

rms

Rsd







(式 3-13)

在校准电阻 1 模式下，在 SINO 和 VRES0 之间接电阻 Rsd1，经过 BIM 信号链和 ADC

信号链后，ADC 可以测得的电压为：

rms

Rsd







(式 3-14)

式 3-13 和式 3-14 中 V

os 为失调电压，可在内短模式下测得；而 Kb 表示信号增益，理

想情况下(MIX 模式和 FWR 模式存在微小区别，高精度要求场合可分别校正)，

)

(



AMP





(式 3-15)

但实际上由于 G0 随着工艺偏差、信号频率都有变化，因此需要通过联立两方程求得

Kb，用于人体等效阻抗的计算，因

)

)]

(

)

[(

Rsd

rms





(式 3-16)

得到了 Vos 及 Kb 的值后，对于实际阻抗 Z，则有

rms







（FWR 模式）

rms

cos 







（MIX 模式）

求得：

rms

)

(





(式 3-17)

)]

(

)

arccos[(

rms









(式 3-18)

1)当前版本 Kb 需要加 0.005 的校正因子

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